碳化硅材料配方配比生產工藝技術加工流程 

1 用于碳化硅材料生長和后處理的高溫裝置及方法 

   簡介：一種用于碳化硅材料生長和后處理的高溫裝置及方法，用于碳化硅材料生長和后處理的高溫裝置包括射頻感應加熱爐和碳化硅桶；射頻感應加熱爐包括爐腔、由內到外依序位于爐腔內的感應發熱體和保溫氈；碳化硅桶位于感應發熱體內，碳化硅桶的兩端分別設置桶蓋和相對應的導氣管，形成整體件；整體件內部設置為供碳化硅材料生長和后處理區域，用于流通生長性氣體或氧化性氣體；其中，整體件、感應發熱體、保溫氈和爐腔內壁之間均存在間隙，形成氣體流通通道，用于流通惰性氣體以進行氣體隔離。本技術既能延長感應發熱體和保溫氈的使用壽命，也能防止感應發熱體和保溫氈在高溫下析出雜質影響碳化硅材料的制備。

2 一種用于單晶硅爐重復加料的碳/碳化硅復合材料加料筒 

   簡介：本技術提供了一種用于單晶硅爐重復加料的碳/碳化硅復合材料加料筒，包括以下步驟：步驟一、將T700碳纖維布和碳纖維網胎交替疊層針刺成筒型預制體，預制體的密度為0.4~0.5g/cm3；步驟二、將筒型預制體放入化學氣相沉積爐內增密至1.2~1.3g/cm3；步驟三、將上述坯體放入高溫石墨化爐內進行石墨化處理；步驟四、將上述坯體機械加工成加料筒規格；步驟五、將上述機械加工好的坯體，放入立式高溫陶瓷化爐內，在坯體內部和表面制備碳化硅。其技術方案優點是，碳/碳化硅復合材料具有很高的硬度及耐磨性，不會對硅料造成二次污染；力學性能優異，加料筒的可靠性大大提高，降低了事故風險；抗熱震性能良好，能夠承受急冷急熱，大大縮短了將加料筒從提拉筒轉移出來的時間，有效提高了單晶硅棒生產效率。

3 多相復合增強的低摩擦碳化硅陶瓷密封材料及其配方技術 

   簡介：本技術提供了一種多相復合增強的低摩擦碳化硅陶瓷密封材料，該低摩擦碳化硅陶瓷密封材料的原料由以下重量百分比的成分組成為：碳化硅86％～88％，釔鋁石榴石6％～8％，石墨烯1％～2.5％，納米二硼化鋯1％～2.5％，碳化硅晶須1％～2.5％。本技術還同時提供了該低摩擦碳化硅陶瓷密封材料的配方技術。本技術制備而得的碳化硅陶瓷密封材料不僅摩擦系數低，而且力學性能較高。

4 一種高致密度鋁碳化硅復合材料配方技術 

   簡介：本技術提供了一種高致密度鋁碳化硅復合材料配方技術，將鋁顆粒分散在硅溶膠中，密封攪拌，過濾后干燥處理得到改性的鋁粉；將獲得的改性鋁粉與氧化鋁和高嶺土混合后機械攪拌；將得到的粉體和碳化硅攪拌混合，再加入聚乙二醇液體保持轉速繼續攪拌得到陶瓷粉體；將陶瓷粉體壓制制成成型毛坯，經熱處理后隨爐冷卻得到氣孔率30％～40％的碳化硅預制型；將得到的碳化硅預制型進行無壓浸滲鋁液；冷卻處理后制得高致密度的鋁碳化硅復合材料。本技術不但提高了鋁液浸滲過程的潤濕性，得到了高致密度的鋁碳化硅復合材料，而且生成的莫來石晶須有利于提高復合材料的機械性能。

5 一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料 

   簡介：一種鋁基碳化硅高密度封裝半導體復合材料，包含如下步驟：制備SiC復合漿料，首先使用SiC微粉配制得到固含量為3070%的SiC漿料，然后按照SiC∶Au∶Ag：Pd為（5060）∶（0.30.6）∶1：（0.020.05）的質量比加入金粉和銀粉和鈀粉，混合均勻，得到SiC復合漿料；流延成型，對得到的SiC復合漿料除泡混合均勻后，進行流延得到SiC復合流延膜；流延膜素燒，對得到的流延膜進行素燒，得到SiC復合素坯；真空燒結，將SiC符合素坯在真空狀態下燒結，得到鋁基碳化硅。本技術的有益效果：通過采用凝膠流延法制備鋁基氮化鋁，工藝簡單，得到的產品成分分布均勻，氣孔率低，半導體性能優越，且通過引入金、銀和鈀粉，充分改善燒結性能，進一步降低燒結溫度，節能環保。

6 具有裂紋自愈合特點的連接碳化硅的連接材料及其應用 

   簡介：本技術提供了一種具有裂紋自愈合特點的連接碳化硅的連接材料及其應用。所述連接材料包括Al4C3、Al4SiC4、Al4C3與SiC的混合物以及Al4SiC4與SiC的混合物等。本技術還提供了所述連接材料于連接碳化硅材料中的用途。本技術還提供了一種碳化硅材料的連接方法，其包括：在待連接的碳化硅材料的連接界面處設置Al4C3、Al4SiC4、Al4C3與SiC的混合物以及Al4SiC4與SiC的混合物，并加熱，使所述待連接的碳化硅材料之間實現高強度連接。本技術所獲的碳化硅連接結構的抗彎強度高，耐高溫耐氧化耐腐蝕性能優良，在高溫下具有裂紋自愈合的功能，可應用在航空航天及核能系統等極端服役環境中。

7 一種碳纖維增強碳-碳化硅-碳化鋯復合材料及其配方技術 

   簡介：本技術涉及一種碳纖維增強碳碳化硅碳化鋯復合材料及其配方技術。所述方法：(1)在碳纖維預制體包含的碳纖維表面沉積熱解碳基體，得改性碳纖維預制體；(2)配制硅粉、鋯粉、石墨粉和酚醛樹脂的質量比為(1～3)：(4～6)：5:100的混合樹脂溶液；(3)用混合樹脂溶液浸漬改性碳纖維預制體，然后使浸漬后的改性碳纖維預制體依次進行固化和碳化反應；碳化反應在惰性氣氛中進行，碳化反應溫度為1650～1750℃，時間為0.5～2h；(4)重復步驟(3)至少一次，制得所述復合材料。本技術能使得碳化硅、碳化鋯在復合材料中均勻分布，降低游離金屬含量低，提高材料的抗氧化、耐燒蝕性能。

8 一種碳化硅復合材料及其配方技術 

   簡介：本技術屬于碳化硅材料技術領域，提供一種碳化硅復合材料及其配方技術，包括如下重量百分含量的原料：碳化硅粉體7080％，金屬粉315％，石墨烯15％，粘結劑210％，水1020％；其方法包括：將碳化硅粉體、金屬粉、石墨烯置于混粉機中混合、球磨；將粘結劑與水混合得到混合粘結劑；將混合粘結劑加入混合粉體中混料，然后置于液壓成型得到胚體；將坯體置于非氧化性氣氛燒結爐中煅燒，冷卻至即得碳化硅復合材料。本技術復合材料燒成溫度低，節能，生產工藝簡單，生產成本低，且具有使用壽命長，耐壓強度高、抗熱震性能好和抗氧化性能好等優點，具有廣泛的經濟和社會價值。

9 一種含鈦-硅金屬間化合物和碳化硅顆粒的鈦基復合材料的配方技術 

   簡介：本技術提供了一種含鈦硅金屬間化合物和碳化硅顆粒的鈦基復合材料的配方技術，包括：1)將Ti3SiC2粉末球磨，得到均勻的Ti3SiC2粉末；2)將鈦合金粉末與均勻的Ti3SiC2粉末繼續球磨均勻，得到混合粉末；3)將混合粉末烘干并篩分，得到干燥粉末；4)利用熱壓燒結系統將步驟3)所得的干燥粉末燒結成型，制得含Ti5Si3和TiC顆粒的鈦基復合材料。本技術利用Ti3SiC2在鈦基體中的分解，原位反應制備TiC增強相，TiC是由Ti3SiC2分解而成，在燒結過程以及后續處理過程不會發生變化，且Ti5Si3不與TiC顆粒團聚，使得增強相的分布均勻，工藝操作簡單，對設備要求低，因此工藝適用性強，大部分的鈦合金均可用于制備本技術所述鈦基復合材料，大大拓寬了鈦合金的應用范圍。

10 一種鋁碳化硅復合材料的配方技術及其應用 

   簡介：本技術屬于材料制備領域，提供了一種鋁碳化硅復合材料的配方技術，包括以下步驟：1)將不同粒徑的碳化硅顆粒進行混勻，加入粘結劑、分散劑，進行二次混料，制得原料；2)將原料壓制成型，制備出碳化硅陶瓷預制體；3)將碳化硅陶瓷預制體進行燒結，形成多孔陶瓷；4)在惰性氣體氣氛下，將鋁合金加熱至融化后，通過惰性氣體加壓的方式壓入多孔陶瓷內部成型，得到鋁碳化硅復合材料。其中，步驟1)中的不同粒徑的碳化硅顆粒的重量百分比為：1μm碳化硅顆粒5～15％、5μm碳化硅顆粒15～20％、15μm碳化硅顆粒20～30％、其余為35μm碳化硅顆粒。所述鋁碳化硅復合材料具有適宜熱膨脹系數、高彈性模量、高導熱率等優良的性能，適用于慣導系統臺體結構體。